其他要求 :
使用范围：乘用车、新能源汽车、新能源科技等。
产品要求：本项目采用Si基芯片的功率模块。
主要性能参数 P1功率模块技术要求 P3功率模块技术要求
电压等级 750V 750V
电流等级 400A 820A
开关频率 10kHz 10kHz
IGBT损耗 开关损耗：71W 开关损耗：233W
导通损耗：18W 导通损耗：271W
FRD损耗 开关损耗：45W 开关损耗：47W
导通损耗：92W 导通损耗：58W
工作结温 -40℃~150℃ -40℃~150℃
效率 最高效率≥98.5% 最高效率≥98.5%
IGBT芯片 Si基 Si基
FRD芯片 Si基 Si基
DBC材料 增强型氧化铝陶瓷 增强型氧化铝陶瓷
底板结构+材料 平板+铜 椭圆pinfin+铜
键合线 铝 铝
端子 铜+镀镍 铜+镀镍
壳体 PBT PBT
其他要求：
具有国内主流主机厂或国际知名主机厂配套经验。
具有有效的IATF16949和ISO14001证书。
具有产品关键生产线及规模应用。
具有自主产品过程设计能力。
